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[工學기술] 工學 반도체 제조 공정

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SiO2/Si 계면에서 발생
실온에서는 반응 일어나지 않고, 수시간동안수백도의 온도로 가열하여 화학반응해야함.이 계면은 외부 기체에 노…(생략(省略))
[工學기술] 工學 반도체 제조 공정
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Download : [공학기술] 공학 반도체 제조 공정.ppt( 98 )




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[工學기술] 工學 반도체 제조 공정
다.다음과 같은 화학 반응을 이용한다.





레포트/공학기술
반도체 제조 공定義(정의) 큰 흐름
웨이퍼 제조 및 회로 설계
전공정(웨이퍼 가공)
후공정(조립 및 검사)
완성
웨이퍼 제조 및 회로 설계
웨이퍼(Wafer)
단결정
성장
규소봉
절단
웨이퍼
표면연마
회로
설계
Mask
제작
대표적인 5단계
`웨이퍼 제조 및 회로설계`의
단결정성장 → 규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작
Si (규소,실리콘)
Six-Nine %
99.9999%
단결정성장 → 규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작
잉곳(Ingot)
고순도 실리콘 용융액
SEED 결정
단결정성장 → 규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작
텅스텐 Wire
단결정성장 → 규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작
슬러리
패드
웨이퍼
웨이퍼
단결정성장 → 규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작
C A DLoading
단결정성장 → 규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작
E-Beam
단결정성장 → 규소봉절단 → 웨이퍼표면연마 → 회로설계 → Mask제작
E-Beam
웨이퍼 가공(전공정)
초기
산화



나이트라이드식 각
이온
주입
금속 배선
증착
대표적인 5단계
`전공정(웨이퍼 가공)`의
초기산화 → 마스킹 → 나이트라이드 식각 → 이온주입 → 금속배선증착
Silicon Dioxide
Wafer
공정 목적 :
배선 간 간격이 매우 미미하여 합선의 가능성이 큼.
웨이퍼에 그려질 배선간 합선방지(배선을 구분하는 절연체의 역할.)
초기산화 → 마스킹 → 나이트라이드 식각 → 이온주입 → 금속배선증착
웨이퍼 표면에 산화규소막(SiO2)을 형성시킨다.

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